2dsemiconductorsPWD-Bi2Se3说明书Bi2Se3vdW粉末货号：PWD-Bi2Se3Bi2Se3vdW粉末我们的Bi2Se3vdW粉末具有层状，并通过高压生长技术合成，可生产出层状良好且结晶度高的粉末。粉末在高温和高压下长时间高度结晶以达到结晶度。每个订单包含约1000mg的高结晶粉末，晶粒尺寸从100nm到mm不等。Bi2Se3粉末与我们最初的vdWBi2Se3晶体具有非常相似的特性该产品非常适合以下情况对于简单的去角质用于液体去角质作为CVD或PVD...

2dsemiconductorsMBE-MoSe2说明书2DMBEMoSe2货号：MBE-MoSe2分子式：MoSe22DMBEMoSe2一个分子束外延(MBE)生长的MoSe2单分子层。MBE是一种用于单晶质量薄膜沉积的外延方法，与化学气相沉积(CVD)或金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术相比，它提供了高结晶度和降低的缺陷密度（参见下面的HRTEM图像）。MoSe2单层的MBE生长发生在MBE室中，基础压力为8E-9Torr，沉积速率极慢（每秒5-100个原子）以达到结...

2dsemiconductors二维金属我们专注于合成大尺寸、高质量、电子和光学级层状vdW晶体的无缺陷单晶。此类别包含二维金属、半金属、超导或CDW单晶。我们的产品具有以下*的新颖性；保证CDW、半金属和超导响应：2Dsemiconductors是保证CDW、超导和金属响应的商业来源。不同的晶体生长技术：我们的晶体通过各种不同的方法生长，包括化学气相传输(CVT)通量区技术、浮区技术和我们的一些技术无缺陷单晶：缺陷会影响超导转变的尖锐程度、超导转变温度、CDW磁滞回线和许多...

2dsemiconductorsTa2NiS5晶体简介2D激子绝缘体激子绝缘体是表现出相关电子相的新型材料系统。当激子结合能(Eb)大于带隙(Eg)时，激子会凝聚到其基态。半导体中的激子凝聚通过Bose-Einstein凝聚过程发生，而半金属中的凝聚通过Bardeen-Cooper-Schrieffer(BCS)过程发生。正交传导（电子）和价（空穴）带之间的库仑引力引起的自发带杂化打开带隙并驱动系统进入绝缘状态Ta2NiS5晶体货号：BLK-Ta2NiS5分子式：Ta2NiS...

biogenes抗CHO抗体A型简介biogenesIP111抗CHO抗体A型抗CHO抗体，亲和纯化的抗CHO-HCP-IgG（多克隆，山羊），在稳定溶液中。0.5毫克1毫克/毫升;0.5mL在TBS缓冲液pH7.5中，用0.02%NaN3稳定BioGenes是定制免疫测定、分析服务和抗体开发的服务提供商，对质量和服务有着坚定的承诺。BioGenes服务和产品系列的亮点开发定制的单克隆、多克隆和抗*型抗体宿主细胞蛋白ELISA开发通用宿主细胞蛋白ELISA试剂盒从2DDIGE...

demeditecDE2486说明书TollwutIgGcanineELISAdemeditec狂犬病IgG犬ELISA简介DE2486酶免疫测定法测定血清和血浆中抗狂犬病病毒的IgG抗体方法酶联免疫吸附试验测试96孵化时间/条件1小时、1小时(37°C)、10分钟(RT)默认区域定性的，定量的灵敏度分析-最终样品体积100微升样品类型血清,等离子样品制备稀释同位素/底物TMB450nmkBq-MethodeELISATests96Inkubationszeiten/-bed...

demeditecDEV9911简介睾酮大鼠/小鼠ELISADEV9911酶免疫法定量测定小鼠和大鼠血清和血浆中的睾酮方法酶联免疫吸附试验测试96孵化时间/条件1小时（室温/摇床），30分钟（室温/黑暗）默认区域0.1-25ng/ml灵敏度分析0.066ng/mL最终样品体积10微升样品类型血清,等离子样品制备-同位素/底物TMB450nmkBq-MethodeELISATests96Inkubationszeiten/-bedingungen1h(RT/shaker),30...

anshlabsAnshLite底物A部分简介AnshLite底物A部分，12mLALA-100A-x应用：发光微孔板目录号：ALA-100A-x包装：12毫升储存：试剂在2-8oC下可稳定保存至少12个月。该试剂以无菌过滤溶液的形式提供，不含任何防腐剂。避免储存过程中的污染监管状态：仅供研究使用。不适用于诊断或治疗程序。AnshLite底物A部分，12mLAnshLite™是一个由两部分组成的系统，需要底物和催化剂。AnshLite™是一种专有的发光...